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中国光刻分辨力达22纳米

作者:admin      发布日期:2018-12-02   点击:

  新华社成都11月29日电 (记者董瑞丰、吴晓颖)国家重大年夜科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日经由过程验收。该光刻机由中国科学院光电技巧钻研所研制,光刻分辨力达到22纳米,结合双重曝光技巧后,未来还可用于制造10纳米级其余芯片。

  中科院理化技巧钻研所许祖彦院士等验收组专家同等表示,该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在道理上冲破分辨力衍射极限,建立了一条高分辨、大年夜面积的纳米光刻装备研发新路线,绕过国皮毛关常识产权壁垒。

  光刻机是制造芯片的核心装备,我国在这一领域经久后进。它采纳类似照片冲印的技巧,把母版上的精细图形经由过程曝光转移至硅片上,一样平常来说,光刻分辨力越高,加工的芯片集成度也就越高。但传统光刻技巧因为受到光学衍射效应的影响,分辨力进一步提高受到很大年夜限定。

  为得到更高分辨力,传统上采纳缩短光波、增添成像系统数值孔径等技巧路径来改进光刻机,但技巧难度极高,装备资源也极高。

  项目副总设计师胡松先容,中科院光电所这次经由过程验收的外面等离子体超分辨光刻装备,突破了传统路线格局,形成一条全新的纳米光学光刻技巧路线,具有完全自立常识产权,为超材料/超外面、第三代光学器件、广义芯片等变更性领域的超过式成长供给了制造对象。

  据懂得,这种超分辨光刻装备制造的相关器件已在中国航天科技集团公司第八钻研院、电子科技大年夜学、四川大年夜学华西病院、中科院微系统所等多家科研院所和高校的重大年夜钻研义务中获得利用。

(责编:袁勃)



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